產(chǎn)品名稱：二手 Hitachi SU8220 冷場發(fā)射電鏡
產(chǎn)品型號：
更新時間：2026-07-01
產(chǎn)品特點：二手 Hitachi SU8220 冷場發(fā)射電鏡 系列中端冷場發(fā)射電鏡，同系列還有 SU8230、SU8240，后續(xù)迭代型號為 Regulus8220；核心革新是改良型冷場電子槍，解決傳統(tǒng)冷場束流弱、不穩(wěn)定、頻繁閃光的痛點，兼顧超高分辨成像 + 長時間 EDS 元素分析，是納米、半導體、軟材料領域主流機型.
產(chǎn)品詳細資料：
一、核心硬件：新一代改良冷場發(fā)射電子槍（CFE）二手 Hitachi SU8220 冷場發(fā)射電鏡
冷場 vs 肖特基（熱場）核心優(yōu)勢
| 參數(shù) | SU8220 冷場 (CFE) | 常規(guī)肖特基熱場 |
|---|---|---|
| 能量散度 | 0.2~0.3 eV | 0.6~0.8 eV |
| 電子源亮度 | ~10? A/cm2·sr | ~10? A/cm2·sr |
| 源尺寸 | 15~30 nm | 5 nm |
| 低電壓成像 | 清晰、束損傷極小 | 低電壓分辨率偏弱 |
日立改良技術
Mild Flashing 溫和閃光：減少針尖損耗、降低氣體吸附，閃光后快速進入穩(wěn)定束流，無需長時間等待；
超高真空電子槍腔體：抑制針尖碳污染，束流穩(wěn)定性大幅提升，可連續(xù)數(shù)小時做 EDS 面掃 / 線掃；
相比老式 SU8000，探針電流提升數(shù)倍，彌補傳統(tǒng)冷場 “只能看、不能分析" 短板Hitachi High-Tech。
二、關鍵技術參數(shù)（標準）
1. 分辨率（二次電子 SE）
0.8 nm @15 kV（工作距離≥3 mm）
1.1 nm @1 kV（減速模式，低電壓觀測軟材料）
2. 電壓范圍
標準模式：0.5 ~ 30 kV
減速著陸模式：0.01 ~ 2 kV（ 10V），適合高分子、生物、二維材料、鋰電池極片，大幅降低電子束輻照損傷
3. 放大倍率
4. 探測器系統(tǒng)（3 通道多信號同步采集）
SE (U) 高位二次電子：表面形貌、高分辨細節(jié)
SE (L) 低位二次電子：凹凸立體感、大景深
BSE 背散射電子：成分襯度，區(qū)分輕重元素
選配 Top 過濾器：增強材料相區(qū)分對比度
5. 樣品臺
6. 標配分析拓展（主流配置）
Bruker FlatQuad 平插式四通道 SDD-EDS（60mm2 探測器）：輕元素 B~U 同步檢測，低電壓下微區(qū)元素 mapping；
可選附件：STEM 透射掃描、EBIC 半導體缺陷、陰極發(fā)光 CL、電子束曝光、冷臺 / 熱臺。
三、整機核心優(yōu)勢
低電壓成像
極小能量散度 + 冷場高亮度，1kV 及以下電壓依然保持納米級分辨率，有機、生物、聚合物、碳材料不會燒蝕、變形。
成像 + 分析一體化
傳統(tǒng)冷場束流弱，無法長時間 EDS；SU8220 改良槍實現(xiàn)穩(wěn)定大束流，高分辨形貌 + 大面積元素面掃同步完成。
低污染、易維護
槍體 + 樣品室雙超高真空設計，針尖、樣品污染速率遠低于老款冷場，閃光頻次降低，運維成本更低。
SuperExB 信號分離物鏡
電子束與信號光路分離，SE/BSE 信號互不干擾，同時輸出形貌 + 成分雙襯度圖像，多相復合材料觀測更直觀。
自動化工作流
EM Flow Creator 批量自動采圖、自動 EDS 分析，適合高通量材料篩選、半導體失效分析。
四、二手 Hitachi SU8220 冷場發(fā)射電鏡典型應用領域
半導體微電子
晶圓表面缺陷、光刻膠、薄膜臺階、芯片截面、納米器件形貌 + 元素分布；低電壓觀測不損傷光刻膠、低 k 介質(zhì)層。
納米材料 / 催化
納米線、納米管、MOF、催化劑顆粒、二維材料（石墨烯、MXene）微觀形貌與元素 mapping。
能源材料
鋰電池正負極、隔膜、燃料電池電極、多孔碳材料，低電壓避免有機粘結(jié)劑碳化。
高分子 / 生物軟材料
聚合物薄膜、纖維、生物臨界點干燥樣品，10V~1kV 著陸電壓，無束損傷。
金屬 / 無機陶瓷
金相剖面、陶瓷孔隙、鍍層界面、粉末顆粒粒度與成分分析。
五、使用注意事項
樣品要求：干燥、無揮發(fā)、無磁性、無腐蝕性；含水生物樣品必須臨界點干燥噴金 / 噴碳；
磁性樣品需消磁或采用無磁樣品臺，避免電子束偏移、圖像畸變；
冷場電子槍仍需定期 Mild Flashing，相比肖特基維護頻次更高，但遠優(yōu)于老式 SU8000；
粉末樣品需充分固定，防止真空下飛粉污染槍體與探測器。
六、同系列機型區(qū)分
SU8220：基礎高分辨型，常規(guī)科研、高校測試中心主流款；
SU8230：加長物鏡、更大束流，側(cè)重大批量 EDS 分析；
SU8240：頂配，分辨率，適配半導體工廠嚴苛質(zhì)檢場景；
換代型號：Regulus8220，在 SU8220 基礎上優(yōu)化低電壓分辨率至 0.7nm@1kV。
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